首先提出這個(gè)問(wèn)題，本身問(wèn)題太寬泛，但根據以往對接客戶(hù)的經(jīng)驗，就是想知道關(guān)于電子廠(chǎng)無(wú)塵車(chē)間的一些規定，標準。而對于需要做電子廠(chǎng)無(wú)塵車(chē)間的企業(yè)，迫切需要知道的是本企業(yè)做的產(chǎn)品業(yè)務(wù)需要的電子廠(chǎng)無(wú)塵車(chē)間工程要做起來(lái)，需要達到什么樣的標準，規范，要求，或者說(shuō)需要在獲取什么證書(shū)等等。下面我們將從各個(gè)方面對電子無(wú)塵車(chē)間要求做知識分類(lèi)分享：
A: 電子無(wú)塵車(chē)間溫濕度要求
SMT車(chē)間溫濕度標準: 溫度22±2℃ 濕度50±5%
首先是保證錫膏能工作在一個(gè)較好的環(huán)境，溫度會(huì )影響錫膏的活性，對里面所添加的助焊劑及相關(guān)溶劑的活性有一定的影響。溫度過(guò)高會(huì )增加活性，最終影響絲印貼裝及回流的效果。容易出現虛焊，焊點(diǎn)不光澤等現象。濕度的大會(huì )引起錫膏在空氣中吸入水氣，如吸收過(guò)多水氣，會(huì )使回流產(chǎn)生焊渣，連焊等現象。貼片時(shí)，濕度過(guò)低，會(huì )產(chǎn)生靜電，會(huì )導致IC微短路，不良品過(guò)多。
電子制造業(yè)無(wú)塵車(chē)間溫濕度標準: 溫度22±2℃ 濕度55±5%
芯片生產(chǎn)加工車(chē)間、集成電路無(wú)塵室和磁盤(pán)制造車(chē)間是屬于電子制造行業(yè)潔凈室的重要組成部分，由于電子產(chǎn)品在制造、生產(chǎn)過(guò)程中對室內空氣環(huán)境和品質(zhì)的要求極為嚴格，主要以控制微粒和金屬粉塵為主要對象，同時(shí)還對其環(huán)境的溫濕度、新風(fēng)量、噪聲等作出了嚴格的規定。（特殊電子無(wú)塵車(chē)間有相關(guān)溫濕度規定）。
貼膜車(chē)間溫濕度標準:溫度21±2℃ 濕度60±5%
嚴格來(lái)講，貼膜車(chē)間需要百級的無(wú)塵車(chē)間，實(shí)際上很少有廠(chǎng)家真正的做到，很多廠(chǎng)家因為成本的因數，都是在一個(gè)萬(wàn)級的車(chē)間建設一個(gè)潔凈棚，以達到潔凈度的要求。首先要通過(guò)空調通風(fēng)系統對空氣中塵粒及微生物進(jìn)行控制，并保證空氣清新度（空調結構：有新風(fēng)，有回風(fēng)），再對生產(chǎn)物料的潔凈度控制、對進(jìn)入員工的潔凈度控制，杜絕污染物的引入、產(chǎn)生以及滯留。
B:電子廠(chǎng)無(wú)塵車(chē)間從安全角度來(lái)分析
一、無(wú)塵室須知
1. 進(jìn)入無(wú)塵室前，必須知會(huì )管理人，并通過(guò)基本訓練。
2. 進(jìn)入無(wú)塵室嚴禁吸煙，吃(飲)食，外來(lái)雜物(如報章，雜志，鉛筆...等)不可攜入，并嚴禁嘻鬧奔跑及團聚談天。
3. 進(jìn)入無(wú)塵室前，需在規定之處所脫鞋，將鞋置于鞋柜內，外衣置于衣柜內，私人物品置于私人柜內，柜內不可放置食物。
4.進(jìn)入無(wú)塵室須先在更衣室，將口罩，無(wú)塵帽，無(wú)塵衣以及鞋套按規定依程序穿戴整齊，再經(jīng)空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進(jìn)入。
5. 戴口罩時(shí)，應將口罩戴在鼻子之上，以將口鼻孔蓋住為原則，以免呼吸時(shí)污染芯片。
6. 穿著(zhù)無(wú)塵衣，無(wú)塵帽前應先整理服裝以及頭發(fā)，以免著(zhù)上無(wú)塵衣后，不得整理又感不適。
7. 整肅儀容后，先戴無(wú)塵帽，無(wú)塵帽的穿戴原則系:
(1)頭發(fā)必須完全覆蓋在帽內，不得外露。
(2)無(wú)塵帽之下擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣后，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。
8.無(wú)塵帽戴妥后，再著(zhù)無(wú)塵衣，無(wú)塵衣應尺吋合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時(shí)應注意帽之下擺應保平整之狀態(tài)，無(wú)塵衣不可反穿。
9. 穿著(zhù)無(wú)塵衣后，才著(zhù)鞋套，拉上鞋套并將鞋套整平，確實(shí)蓋在褲管之上。
10. 戴手套時(shí)應避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套后，應將手套之手腕置于衣袖內，以隔絕污染源。
11. 無(wú)塵衣著(zhù)妥后，經(jīng)洗塵，并踩踏除塵毯，方得進(jìn)入無(wú)塵室。
12. 不論進(jìn)入或離開(kāi)無(wú)塵室，須按規定在更衣室脫無(wú)塵衣，不可在其它區域為之，尤不可在無(wú)塵室內邊走邊脫。
13. 無(wú)塵衣，鞋套等，應定期清洗，有破損，脫線(xiàn)時(shí)，應即換新。
14. 脫下無(wú)塵衣時(shí)，其順序與穿著(zhù)時(shí)相反。
15. 脫下之無(wú)塵衣應吊好，并放于更衣室內上層柜子中;鞋套應放置于吊好的無(wú)塵衣下方。
16. 更衣室內小柜中，除了放置無(wú)塵衣等規定物品外，不得放置其它物品。
17. 除規定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無(wú)塵室。
18. 無(wú)塵衣等不得攜出無(wú)塵室，用畢放置于規定處所。
19. 口罩與手套可視狀況自行保管或重復使用。
20. 任何東西進(jìn)入無(wú)塵室，必須用灑精擦拭干凈。
21. 任何設備的進(jìn)入，請知會(huì )管理人，在無(wú)塵室外擦拭干凈，方可進(jìn)入。
22. 未通過(guò)考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當處理，例如關(guān)閉水、電、氣體等開(kāi)關(guān)。
23. 無(wú)塵室內絕對不可動(dòng)火，以免發(fā)生意外。
二、無(wú)塵室操作須知
1. 處理芯片時(shí)，必須戴上無(wú)纖維手套，使用清洗過(guò)的干凈鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過(guò)的芯片須經(jīng)清洗，方得繼續使用：
(1) 任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過(guò)，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。
(2) 芯片清洗后進(jìn)行下一程序前，若被手指碰觸過(guò)，必須重新清洗。
(3)把芯片放置于石英舟上，準備進(jìn)爐管時(shí)，若發(fā)現所用鑷子有污損現象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的污染，必須將芯片重新清洗，并立即更換干凈的鑷子使用。
2. 芯片必須放置盒中，蓋起來(lái)存放于規定位置，盡可能不讓它暴露。
3.避免在芯片上談話(huà)，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進(jìn)擴散爐前，請特別注意，防止上述動(dòng)作產(chǎn)生，若芯片上沾有纖維屑時(shí)，用氮氣槍噴之。
4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等載具(Carrier)上，取出芯片時(shí)，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭確已離芯片，方可從吸座上移走芯片。
5. 芯片上，若已長(cháng)上氧化層，在送黃光室前切勿用鉆石刀在芯片上刻記。
6. 操作時(shí)，不論是否戴上手套，手絕不能放進(jìn)清洗水槽。
7. 使用化學(xué)站或烤箱處理芯片時(shí)，務(wù)必將芯片置放于鐵弗龍晶舟內，不可使用塑料盒。
8. 擺置芯片于石英舟時(shí)，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然后再進(jìn)氧化爐。
9. 請勿觸摸芯片盒內部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置于操作臺，手套若燒焦、磨破或纖維質(zhì)變多必須換新。
11. 非經(jīng)指示，絕不可開(kāi)啟不熟悉的儀器及各種開(kāi)關(guān)閥控制鈕或把手。
12. 奇怪的味道或反應異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關(guān)人員。
13. 儀器因操作錯誤而有任何損壞時(shí)，務(wù)必立刻告知負責人員或老師。
14. 芯片盒進(jìn)出無(wú)塵室須保持干凈，并以保鮮膜封裝，違者不得進(jìn)入。
15. 無(wú)塵室內一律使用原子筆及無(wú)塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。
三、黃光區操作須知
1. 濕度及溫度會(huì )影響對準工作，在黃光區應注意溫度及濕度，并應減少對準機附近的人，以減少濕、溫度的變化。
2. 上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得攜出黃光區以免感光。
3. 己上妥光阻，而在等待對準曝光之芯片，應放置于不透明之藍黑色晶盒之內， 盒蓋必須蓋妥。
4. 光罩使用時(shí)應持取邊緣，不得觸及光罩面，任何狀況之下，光罩鉻膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮氣槍吹之。
5. 曝光時(shí)，應避免用眼睛直視曝光機汞燈。
四、鑷子使用須知
1. 進(jìn)入實(shí)驗室后，應先戴上手套后，再取鑷子，以免沾污。
2. 唯有使用干凈的鑷子，才可持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可再使用。
3. 鑷子使用后，應放于各站規定處，不可任意放置，如有特殊制程用鑷子，使用后應自行保管，不可和實(shí)驗室內各站之鑷子混合使用。
4. 持鑷子應采"握筆式"姿勢挾取芯片。
5. 挾取芯片時(shí)，順序應由后向前挾取，放回芯片時(shí)，則由前向后放回，以免刮傷芯片表面。
6. 挾取芯片時(shí)，"短邊" (鋸狀頭)置于芯片正面，"長(cháng)邊" (平頭)置于芯片背面，挾芯片空白部分，不可傷及芯片。
7. 嚴禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。
8. 鑷子僅可做為挾取芯片用，不準做其它用途。
五、化學(xué)藥品使用須知
1. 化學(xué)藥品的進(jìn)出須登記，并知會(huì )管理人，并附上物質(zhì)安全資料表（MSDS）于實(shí)驗室門(mén)口。
2. 使用化學(xué)藥品前，請詳讀物質(zhì)安全資料表(MSDS)，并告知管理人。
3. 換酸前必先穿著(zhù)防酸塑料裙，戴上防酸長(cháng)袖手套，頭戴護鏡，腳著(zhù)塑料防酸鞋，始可進(jìn)行換酸工作。
4. 不得任意打開(kāi)酸瓶的蓋子，使用后立即鎖緊蓋子。
5. 稀釋酸液時(shí)，千萬(wàn)記得加酸于水，絕不可加水于酸。
6. 勿嘗任何化學(xué)藥品或以嗅覺(jué)來(lái)確定容器內之藥品。
7. 不明容器內為何種藥品時(shí)，切勿搖動(dòng)或倒置該容器。
8. 所有化學(xué)藥品之作業(yè)均須在通風(fēng)良好或排氣之處為之。
9. 操作各項酸液時(shí)須詳讀各操作規范。
10. 酸類(lèi)可與堿類(lèi)共同存于有抽風(fēng)設備的儲柜，但絕不可與有機溶劑存放在一起。
11. 廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機溶液混合。
12. 廢棄有機溶液置放入有機廢液桶內，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內。
13. 勿任意更換容器內溶液。
14.欲自行攜入之溶液請事先告知經(jīng)許可后方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時(shí)，必須經(jīng)評估后方可攜入，并請于容器上清楚標明容器內容物及保存期限。
15. 廢液處理：廢液分酸、堿、氫氟酸、有機、等，分開(kāi)處理并登記，回收桶標示清楚，廢液桶內含氫氟酸等酸堿，絕對不可用手觸碰。
16.漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時(shí)，為確保安全，絕對不可用手觸碰，先將電源總開(kāi)關(guān)與相關(guān)閥門(mén)關(guān)閉，再以無(wú)塵布或酸堿吸附器處理之，并報備管理人。
六、化學(xué)工作站操作
1. 操作時(shí)須依規定，戴上橡皮手套及口罩。
2. 不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3. 添加任何溶液前，務(wù)必事先確認容器內溶劑方可添加。
4. 在化學(xué)工作站工作時(shí)應養成良好工作姿勢，上身應避免前傾至化學(xué)槽及清洗槽之上方，一方面可防止危險發(fā)生，另一方面亦減少污染機會(huì )。
5. 化學(xué)站不操作時(shí)，有蓋者應隨時(shí)將蓋蓋妥，清洗水槽之水開(kāi)關(guān)關(guān)上。
6. 化學(xué)藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時(shí)，應即用水沖洗濺傷部位15分鐘以 上，且必須皮膚顏色恢復正常為止，并立刻安排急救處理。
7. 化學(xué)品外泄時(shí)應迅速反應，并做適當處理，若有需要撤離時(shí)應依指示撤離。
8. 各化學(xué)工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機臺及工作臺，及其它器具等物，一般操作請戴無(wú)塵手套。
七、RCA Method
1. DIWater 5min
2. H2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機、油
3. DIWater 5min
4. HF:H2O 10~30sec，去自然氧化層(Native Oxide)
5. DIWater 5min
6. NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5 煮10~20min 75~85℃，去金屬有機
7. DIWater 5min
8. HCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 ℃ 去離子
9. DIWater 5min
10. Spin Dry
八、清洗注意事項
1. 有水則先倒水，H2O2最后倒，數字比為體積比。
2. 有機與酸堿絕對不可混合，操作平臺也務(wù)必分開(kāi)使用。
3. 酸堿溶液等冷卻后倒入回收槽，并以DI Water沖玻璃杯5 min。
4. 酸堿空瓶以水清洗后，并依塑料瓶，玻璃瓶分開(kāi)置于室外回收筒。
5. 氫氟酸會(huì )腐蝕骨頭，若碰到立即用葡萄酸鈣加水涂抹，再用清水沖洗干凈，并就醫。碰到其它酸堿則立即以DI Water大量沖洗。
6. 清洗后之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7. 簡(jiǎn)易清洗步驟為1-2-9-10；清洗SiO2步驟為1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8. 去除正光阻步驟為1-2-10，或浸入ACE中以超音波振蕩。
9. 每個(gè)玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液，蝕刻、清洗、電鍍、有機絕不能混合。
10. 廢液回收分酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機五種，分開(kāi)回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無(wú)誤再傾倒。
無(wú)塵室系統
使用操作方法
1. 首先打開(kāi)控制器面板上的【電熱運轉】、【加壓風(fēng)車(chē)運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風(fēng)車(chē)運轉】等開(kāi)關(guān)。
注意:
＊ 溫度控制器及濕度控制器可由黃色鈕調整，一般溫度控制為20℃ DB ，濕度控制為50% RH。
＊左側的控制器面板上電壓切換開(kāi)關(guān)為【RU】，電流切換開(kāi)關(guān)為【T】。右側的控制器面板上電壓切換開(kāi)關(guān)為【RS】，電流切換開(kāi)關(guān)為【OFF】。
2. 將箱型空氣調節機的送風(fēng)關(guān)關(guān)打開(kāi)，等送風(fēng)穩定后再將冷氣暖氣開(kāi)關(guān)打開(kāi)，此時(shí)紅色燈會(huì )亮起，表示正常運作。
注意:
＊ 冷氣的起動(dòng)順序為壓縮機【NO.2】。
＊ 溫度調節為指針指向紅色暖氣【5】。
＊ 分流開(kāi)關(guān)AIR VALVE 為【ON】。
3. 無(wú)塵室使用完畢后，要先將箱型空氣調節機關(guān)閉，按【停止】鍵即可。
4. 再將控制器面板上的【電熱運轉】、【加壓風(fēng)車(chē)運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風(fēng)車(chē)運轉】等開(kāi)關(guān)依序關(guān)閉。
氣體鋼瓶
使用操作方法
1. 用把手逆時(shí)針打開(kāi)氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】打開(kāi)PURGE關(guān)閉。
2. 由黑色轉鈕調整氣體鋼瓶的壓力(psi)，順時(shí)針?lè )较驗樵黾樱鏁r(shí)針?lè )较驗闇p少。
3. 將N2鋼瓶調整為40psi（黃光室內為20psi）,AIR鋼瓶調整為80psi（黃光室內為60psi）。
4. 氣體鋼瓶使用完畢后，用把手順時(shí)針關(guān)閉氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】關(guān)閉【PURGE】打開(kāi)將管路內的氣體排出后將【PURGE】關(guān)閉。
純水系統
使用操作方法
1. 閥門(mén)控制
(1) 閥門(mén)(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應保持全開(kāi)。
(2) 閥門(mén)V5、V7、V11、V18、V21應保持全關(guān)。
(3) 閥門(mén)V9、V20為調壓作用，不可全開(kāi)或全關(guān)。
(4) 閥門(mén)中V5為砂濾機之BY-PASS，V15為U.V燈之BY-PASS，V18為DI桶之BY-PASS，V21為RO膜之BY-PASS。
2. 自動(dòng)造水
步驟1：如上【閥門(mén)控制】將各球閥門(mén)開(kāi)關(guān)定位。
步驟2：控制箱上，各切換開(kāi)關(guān)保持在【OFF】位置。
步驟3：將控制箱上【系統運轉】開(kāi)關(guān)切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1 激活先做初期排放。
步驟5：電磁閥2 激活造水。
步驟6：此時(shí)，PUMP1、PUMP2依序激活，系統正常造水，RO產(chǎn)水經(jīng)管路進(jìn)入儲水桶(TANK)，當水滿(mǎn)后控制箱上高液位指示燈亮，系統自動(dòng)停機，并于儲水桶水位下降至低液位時(shí)再激活造水。
3. 系統用水
將控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開(kāi)關(guān)切換至【用水】，此時(shí)PUMP3輸送泵浦激活，TANK內之純水經(jīng)幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過(guò)濾后，供現場(chǎng)各使用點(diǎn)使用。
4. 夜間循環(huán)
控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開(kāi)關(guān)，主要在配合每日下班或連續假日停止供水后管路之衛生考慮，其步驟為:
(1) 停止供水59分鐘后，系統再自動(dòng)供水1分鐘。
(2) 此后每隔59分鐘供水循環(huán)1分鐘至夜間循環(huán)【停】為止。
5. 系統偵測
本系統中附有各項壓力表、流量計及導電度計，作為系統運轉之控制，其功能如下:
壓力表1：砂濾機進(jìn)水壓力
壓力表2：RO進(jìn)水壓力
壓力表3：RO排水壓力
壓力表4：DI進(jìn)水壓力
壓力表5：供水回流壓
流量計1：RO排水流量
流量計2：RO產(chǎn)水流量
另外，控制箱(機房)附有二段式LED導電度顯示屏，原水及產(chǎn)水分別切換顯示。
6. 系統維護
HF-RD系統，應定期更新之耗材:
(1) 砂濾機應定期逆時(shí)。
(2)預濾應每1-2個(gè)月更新。
(3)膜管應視其去除率及產(chǎn)水量做必要之清洗或更新。
(4)樹(shù)脂混床視比電阻值更新。
(5)精密過(guò)濾約每2-4個(gè)月更新。
7. 故障排除
現 象 可能因素 排除方法
系統停機、系統無(wú)法激活 1. 外電源異常2. 系統運轉開(kāi)關(guān)未按下3. 系統電路故障4. 馬達/泵浦故障 1. 檢查系統電源電路2. 按下系統運轉開(kāi)關(guān)3. 通知廠(chǎng)商4. 更新馬達/泵浦
低產(chǎn)水量 1. 膜管排水量太高2. 壓力不足3. 膜管阻塞 1. 調整排水閥V92. 清洗膜管或更新膜管
低比電阻 1. 樹(shù)脂功能下降2. RO去除率下降 1. 更換樹(shù)脂2. 更換RO膜組
光罩對準機
使用操作方法
曝光機簡(jiǎn)介
在半導體制程中，涂布光阻后的芯片，須經(jīng)UV紫外光照射曝光顯影，此臺曝光機為OAI200系列，整合光罩對準、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。
OAI200系列為一入門(mén)型光罩對準儀，可以手動(dòng)操作更改各項使用參數，如曝光時(shí)間、曝光強度及曝光功率等等。對于中高階的線(xiàn)寬有很好的顯影效果，此系列最大可使用四吋的芯片，最大的曝光功率為1KW。
曝光機使用步驟
1. 檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N220psi〉以及黃光室的氮氣閥、空氣閥是否有開(kāi)啟。開(kāi)啟曝光機下方延長(cháng)線(xiàn)的紅色總開(kāi)關(guān)，再開(kāi)啟曝光機、顯微鏡。
2. 接上隧道式抽風(fēng)馬達電源，進(jìn)行曝光機抽風(fēng)步驟，并檢查曝光機上方汞燈座后面進(jìn)風(fēng)口是否有進(jìn)氣。如果風(fēng)量微小或者無(wú)進(jìn)氣，則無(wú)法開(kāi)啟汞燈的電源〈會(huì )有警報聲〉。確定進(jìn)風(fēng)口有進(jìn)氣后，才可開(kāi)啟曝光機下方的汞燈電源供應器ON/OFF開(kāi)關(guān)。
3. 按住汞燈電源供應器之START鍵，約1~3秒鐘，此時(shí)電流值會(huì )上升〈代表汞燈點(diǎn)亮，開(kāi)始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點(diǎn)亮。
4. 汞燈點(diǎn)亮后，至少須待機30分鐘，使Lightsource系統穩定。假使汞燈無(wú)法點(diǎn)亮，請不要作任何修護動(dòng)作。
5. 待系統穩定后，把電源供應器上的電壓、電流值填到紀錄表上，每一次開(kāi)燈使用都要登記作為紀錄。
6. 旋開(kāi)光罩夾具之螺絲，光罩之正面〈鍍鉻面〉朝下，對準三個(gè)基準點(diǎn)，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，再鎖好螺絲以固定光罩。
注意：
＊ MASK Holder 必須放下時(shí)才能放置光罩。扳動(dòng)【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。
＊ 先用氮氣吹光罩和MASK Holder，光罩正面朝下，對準黑邊鐵框，手勿接觸光罩，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，鎖上旁邊兩個(gè)黑鐵邊。
＊ 檢查放置芯片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩壓破芯片。
7. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASKHolder上升，放置芯片到CHUNK上，將【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASK FRAMEUP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下。
8. 扳動(dòng)臺邊鈕(Ball LockButton)為Unlock，順時(shí)針?lè )较蚵D旋轉鈕(Z knob)，使芯片基座上升，直到傳動(dòng)皮帶感覺(jué)已拉緊即可，然后逆時(shí)針旋轉ZKnob約15格，扳動(dòng)臺邊鈕(Ball Lock Button)為L(cháng)ock。
注意：
＊ Z knob 每格約15 microns。
＊ 逆時(shí)針?lè )较蛐DZknob，會(huì )使放置芯片基座下降，其目的是為了作對準時(shí)，讓芯片和光罩有些許的距離，使芯片與光罩不會(huì )直接摩擦。
＊ 若不須對準時(shí)，可以不使用逆時(shí)針?lè )较蛐DZ knob。
＊ 旋轉Zknob時(shí)，不論順時(shí)針或逆時(shí)針轉動(dòng)，當皮帶打滑時(shí)，代表芯片基座已和光罩接觸，此時(shí)不可逆時(shí)針旋轉，而導致內部螺栓松脫。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般為15A~20 A之間，且電流越小皮帶越松。
9. 移動(dòng)顯微鏡座，至光罩上方，作芯片與光罩的對準校正。如須調整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微調桿，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光機面板左側如下圖：
注意：
＊曝光秒數有兩種設定，一種為1000SEC，一種為100SEC。當按下1000SEC時(shí)，計數器最大可設999秒的曝光時(shí)間；按下100SEC時(shí)，計數器最大可設99.9秒的曝光時(shí)間。
＊ 再設定曝光秒數時(shí)要先測量汞燈的亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動(dòng)基座至曝光機左端底，后然將OAI 306 UVPOWERMETER放置于CHUNK上即可，完畢后按RESET，而且可多測幾個(gè)不同的位置，觀(guān)看汞燈的亮度是否均勻，所測得的單位為mw/cm2，乘時(shí)間(SEC)即變可mJ的單位。
11. 設定好曝光秒數后，即可進(jìn)行曝光的程序。扳動(dòng)【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON，則芯片和光罩之間會(huì )產(chǎn)生些許的真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa 左右。
12. 按住把手上的按鈕，此時(shí)基座才可移動(dòng)，移至曝光機左端底，放開(kāi)按鈕，則曝光機會(huì )自動(dòng)進(jìn)行曝光的動(dòng)作。
13. 曝光完成后，即可將基座移回曝光機右端。扳動(dòng)扳動(dòng)【N2 PURGE】為OFF。再扳動(dòng)【CONTACTVAC.】至OFF，儀器會(huì )充氮氣破光罩與芯片間的真空，方便使用者拿出芯片。
14. 逆時(shí)針旋轉Z knob，降下芯片基座至最低點(diǎn)。松開(kāi)光罩固定的黑邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。
15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP，使MASK Holder升起。扳動(dòng)【SUBVAC.】為OFF，使用芯片夾取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。
16. 如須進(jìn)行再一次的曝光，則可重復上述步驟。
17. 完成所有的曝光程序后，先關(guān)掉顯微鏡光源產(chǎn)生器，再關(guān)掉汞燈電源供應器。〈關(guān)燈后一小時(shí)內不可再開(kāi)啟汞燈，已延長(cháng)汞燈壽命〉
18. 先關(guān)隧道式抽風(fēng)馬達電源，關(guān)掉曝光機的開(kāi)關(guān)【SYSTEMON/OFF】為OFF，再關(guān)掉曝光機下方的延長(cháng)線(xiàn)總開(kāi)關(guān)。待曝光機冷卻后，最后再關(guān)掉墻上氮氣閥及空氣閥。
熱蒸鍍機
使用操作方法
A.開(kāi)機步驟
1. 開(kāi)機器背面的總電源開(kāi)關(guān)。
2. 開(kāi)冷卻水，需先激活D.I Water 系統。
3. 開(kāi)RP，熱機2分鐘。
4. 開(kāi)三向閥切至F.V的位置，等2分鐘。
5. 開(kāi)DP，熱機30分鐘(熱機同時(shí)即可進(jìn)行Sample 之清洗與裝載，以節省時(shí)間)。
B.裝載
1. 開(kāi)Vent，進(jìn)氣之后立刻關(guān)閉。
2. 開(kāi)Chamber。
3. Loading Sample、Boat及金屬。
4. 以Shutter擋住Sample。
5. 關(guān)Chamber，關(guān)門(mén)時(shí)務(wù)必注意門(mén)是否密合，因機器年久失修，通常須用手壓緊門(mén)的右上角。
C.抽真空
1. 初抽
(1)三向閥切至R.V位置(最好每隔幾分鐘就切換到F.V一下，以免DP內的幫浦油氣分子擴散進(jìn)入chamber中)。
(2) 真空計VAP-5顯示至5′10-2 torr時(shí)三向閥切至F.V，等30秒。
2. 細抽
(1) M.V ON，記錄時(shí)間。
(2) ION GAUGE ON，壓下Fil 點(diǎn)燃燈絲(需要低于10-3 Torr以下才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1. 壓力約2′10-5 Torr時(shí)，開(kāi)始加入液態(tài)氮。
2. 壓力低于2′10-6 Torr時(shí)，記錄壓力及抽氣時(shí)間并關(guān)掉ION GAUGE。
3. Heater Power ON (確定Power調整鈕歸零)。
4. 選擇BOAT1 or BOAT2。
5. 蒸鍍開(kāi)始，注意電流需慢慢增加。
注意:
＊ 鍍金時(shí)，儀表上電流約100A，鍍Al時(shí)電流可稍微小些，約70~80A。
＊ 當BOAT高熱發(fā)出紅光時(shí)，應立即關(guān)閉觀(guān)景窗，以免金屬附著(zhù)在觀(guān)景窗的玻璃上。
＊ 空鍍幾秒將待鍍金屬表面清干凈后即可打開(kāi)Shutter，開(kāi)始蒸鍍。
＊ 蒸鍍完成后，立刻關(guān)閉HeaterPower，等10~15分鐘讓BOAT冷卻及蒸鍍后的金屬冷卻，避免立即和空氣接觸而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE 【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF 冷卻30~60分鐘。
5. 開(kāi)Vent(進(jìn)氣后立刻關(guān)閉)。
6. 開(kāi)Chamber，取出Sample及BOAT。
7. 關(guān)Chamber，注意將門(mén)關(guān)緊。
F.關(guān)機
1. 關(guān)F.V。
2. 開(kāi)R.V，抽至0.01 Torr之后關(guān)閉。
3. 開(kāi)F.V，30秒后三向閥切至關(guān)閉之位置。
4. RP OFF。
5. 關(guān)總電源。
6. 關(guān)冷卻水。
7. 關(guān)氮氣。
注意：
＊ 蒸鍍時(shí)，電流應緩慢增大，且不可太大，以免金屬在瞬間大量氣化，使厚度不易控制。
＊ 若接續他人使用，液態(tài)氮可少灌一點(diǎn)兒，約三分之一筒即可。
氧化爐管
使用操作方法
氧化爐管簡(jiǎn)介
本實(shí)驗室所采用之氧化爐管為L(cháng)enton LTF1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區大于50cm，最高溫度可達1200°C并可連續24hr，最大操作溫度為1150°C，溫控方式采用PID微電腦自動(dòng)溫度控制器。
目的
將硅芯片曝露在高溫且含氧的環(huán)境中一段時(shí)間后，我們可以在硅芯片的表面生長(cháng)一層與硅的附著(zhù)性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。
注意:
＊在開(kāi)啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。Switch在有電源供應時(shí)【l】將會(huì )發(fā)光，而氧化爐也將開(kāi)始加熱。
＊如果過(guò)溫保護裝置是好的，請確定警報點(diǎn)的設定于目前的使用過(guò)程中為恰當地。如果過(guò)熱保護裝置是好的，蜂嗚器會(huì )有聲音，在過(guò)溫控制操作中有警報一致的程序。
＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率最大不能超過(guò)3°C per min。
＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當的使用絕緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊ 在操作氧化爐時(shí)不要在最大溫度下關(guān)閉氧化爐，以延長(cháng)氧化爐的壽命。
操作步驟:
1. 檢查前一次操作是否有異常問(wèn)題發(fā)生，并填寫(xiě)操作記錄。
2. 檢查機臺狀態(tài)
(1) 控制面板狀態(tài)：使用前先確定【HEAT】Switch設定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。
(2) 加熱控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前后段爐溫差￡40°C。
(3) 氣體控制:H2【OFF】，O2 【OFF】。
3. 將芯片緩慢的推入爐管內。
4. 打開(kāi)墻上H2、O2之開(kāi)關(guān)和機房的氣瓶調壓閥。
5. 設定預設氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。
6. 按下【HEAT】Switch為【l】，此時(shí)爐溫將從恒溫(400°C)慢慢加熱至標準制程溫度1100°C，升溫速率最大不能超過(guò)3°C per min。
7. 待爐溫降至恒溫后將芯片取出。
8. 關(guān)閉H2、O2 。
9. 關(guān)閉爐管后端H2之開(kāi)關(guān)及墻上之開(kāi)關(guān)和機房的氣瓶調壓閥。
10. 檢查爐管是否完成關(guān)機動(dòng)作。
11. 填寫(xiě)操作記錄之終了時(shí)間和異常保護及說(shuō)明。
涂布機
使用操作方法
1. 首先將PUMP的電源插頭插入涂布機后面的電源插座。
2. 將涂布機的插頭插入110V的電源插座，然后按下【POWER】鍵。
3. 設定旋轉的轉速及時(shí)間，本機型為二段式加速的Spin Coating，右邊為第一段加速，左邊為第二段加速。
4. 依不同尺寸的基材，可更換不同的旋轉轉盤(pán)做涂布的動(dòng)作。
5.按下【PUMP】鍵，此時(shí)旋轉轉盤(pán)會(huì )吸住基材，然后將光阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢慢的往外涂開(kāi)至適當的量，在做光阻涂開(kāi)動(dòng)作時(shí)可先用氮氣將旋轉轉盤(pán)周?chē)盎拇蹈蓛簟?/div>
6. 蓋上涂布機的保護蓋，以防止光阻濺出涂布機外。
7. 按下【START】鍵，涂布機便開(kāi)始做涂布的動(dòng)作。
8. 涂布完畢后，打開(kāi)保護蓋，按下【PUMP】鍵旋轉轉盤(pán)會(huì )放開(kāi)基材，便可以將基材取出。
熱風(fēng)循環(huán)烘箱
使用操作方法
1. 本機使用電壓110V/60HZ。
2. 確認電壓后，將電源線(xiàn)插入110V的插座。
3. 打開(kāi)【POWER】開(kāi)關(guān)，此時(shí)溫度表PV即顯示箱內實(shí)際溫度。
4. 首先按【SET】鍵?，SV會(huì )一直閃爍此時(shí)即可開(kāi)始設定溫度，而SV的字幕窗會(huì )呈現高亮度，在高亮度的位置可設定所需的溫度，只要再按【SET】鍵?高亮度會(huì )隨之移動(dòng)，在高亮度的地方即可設定溫度。
5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下移鍵▼則溫度往下遞減。
6. 當完成以上設定溫度之后(SV仍閃爍不停)此時(shí)只要按一次【ENT】鍵SV即呈現剛才所設定的溫度(PV顯示實(shí)際溫度)。
7. 加熱燈OUT顯示燈亮時(shí)表示機器正在加熱中，而到達設定點(diǎn)時(shí)OUT會(huì )一閃一爍(正常現象)。
8. AT燈亮時(shí)表示溫度正自動(dòng)演算中。
9. ALM-1紅色燈亮時(shí)表示溫度過(guò)熱(溫度會(huì )自動(dòng)降溫)。
10. ALM-2紅色燈亮時(shí)表示溫度過(guò)低(溫度會(huì )自動(dòng)加溫)。
11. 溫度范圍:40℃~210℃。
C:電子廠(chǎng)無(wú)塵車(chē)間潔凈等級要求
首先電子廠(chǎng)就不一定都擁有無(wú)塵車(chē)間，如果有無(wú)塵車(chē)間，不同的廠(chǎng)家根據自己的產(chǎn)品或者科研需求對潔凈等級的要求也是不一樣的，如果想詳細了解潔凈等級可以參看：
D:電子廠(chǎng)無(wú)塵車(chē)間對員工的要求
如果您是一名想進(jìn)工廠(chǎng)的員工想知道電子廠(chǎng)無(wú)塵車(chē)間對員工的要求，我們也可以根據我們接觸眾多電子廠(chǎng)家給出一些答案。比如，有很多電子廠(chǎng)的無(wú)塵車(chē)間并不是嚴格的無(wú)塵車(chē)間，就是做個(gè)樣子，但如果你想進(jìn)一個(gè)比較嚴格，待遇比較好，對這方面要求非常高的電子廠(chǎng)，你就要注意了。為什么要用無(wú)塵車(chē)間，其實(shí)更多的是出于對電子產(chǎn)品質(zhì)量的考慮，所以公司都會(huì )有相關(guān)的規章制度，如果你面試的時(shí)候能體現出你對這方面的一些認識，將會(huì )事半功倍。所以你要清楚的是，嚴格的電子廠(chǎng)無(wú)塵
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